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　6/22開催の「実験で体感する半導体の技術と歴史」セミナーが盛況のうちに無事、終了いたしました。

セミナー終了後の懇談会を含めて、参加者の方々からいろいろなご意見があり、次のご指摘に対応し資料の内容を追記いたしました。

• 一般的な説明に良く用いられているPNP接合トランジスタの模式図は実際の構造とは違うとのご指摘に対し、初期のPNPトランジスタの製造工程と構造に関する資料を追加しました・
• ICの製造工程と構造が良く分からないとのとのご指摘があり、プレーナー型NPN・Siトランジスタ・ICの製造工程の資料を追加しました。これは1959年のフェアチャイルド社ホーニーの特許と同じ初期のICについてです。
• 論理素子とラッチ(記憶)の関連性について、論理素子NOTの2つの状態の安定性から考察するとのご提案があり、「論理と記憶」と題する資料を追加しました。

以上ですが、セミナー資料を下記に公開いたします。

・ セミナー資料「半導体の技術と歴史」(pdf.ファイル）